大连理工大学805半导体物理考研大纲

大连理工大学 2018 年硕士研究生入学考研大纲
科目代码：805 科目名称：半导体物理
试题分为简答题和分析题，其中简答题占 33%，分析题（计算题、简单的推导、证明或画图
题）占 67%，具体复习考研大纲如下：
一、晶体结构
1、晶体结构的周期性和晶格的对称性.
2、布拉伐格子和倒格子.
3、常见半导体的晶体结构.
二、晶格振动和晶格缺陷
1、一维原子链和三维晶格中的原子振动.
2、玻恩/卡门边界条件和布里渊区.
3、晶格中的缺陷和杂质.
三、半导体中的电子状态
1、电子的运动状态和能带.
2、价带、导带、禁带和载流子.
3、杂质能级和杂质补偿效应.
四、半导体中载流子的统计分布
1、状态密度及费密分布函数.
2、导带电子密度和价带空穴密度.
3、本征半导体、杂质半导体和简并半导体.
五、半导体中的电导现象和霍耳效应
1、载流子散射.
2、电导现象和霍耳效应.
六、非平衡载流子
1、非平衡载流子的产生和复合.
2、连续性方程.
3、非平衡载流子的扩散与漂移.
七、半导体的接触现象
1、金属/半导体接触的整流现象.
2、pn 结及其整流现象.
3、异质结.
八、半导体表面
1、表面态与表面空间电荷区.
2、表面场效应现象和 MIS 结构.
3、MOS 的电容/电压特性.