北京航空航天大学现代半导体器件物理考博大纲

《半导体器件物理》博士生入学考博大纲
一、复习内容及基本要求
1．半导体中载流子特性：晶体结构，能带与能隙，载流子及热平衡，载流子宏观迁移。
2．p-n 结形成；耗尽层，电流电压特性，结击穿，异质结，传输过程与噪音。
3．双极器件；静态特性，微波特性，异质结双极晶体管。
4．MIS；电流传输过程，器件结构，欧姆接触，势垒高度，理想 MIS 电容。
5．MOS：基本器件特性；期间按比例缩小，短沟道效应，器件基本结构。
6．JFET 原理与特性。
7．光电子器件（LED、太阳能电池）原理以及特性。
8．巨磁阻效应及其器件
9．考试的基本要求
要求考生有扎实的半导体物理，半导体器件，及微电子实验基础理论知识和技术基础。掌握
半导体器件系统的主要组成部分的基本原理，能够综合量子物理、半导体物理、器件物理的
知识分析和解决问题。
二、建议参考
1．施敏编著《现代半导体器件物理》第 3 版西安交通大学出版社。
2．韩秀峰著《自旋电子学导论》上卷第一章科学出版社。