2019年沈阳工业大学806半导体物理考研初试大纲
硕士研究生入学考试大纲 考试科目名称:半导体物理 一、考试大纲援引教材 《半导体物理学》国防工业出版社 朱秉升 刘恩科 二、考试要求: 全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析 和计算。 三、考试内容: 1)半导体中的电子状态 a: 导体的晶格结构和结合性质 b: 半导体中的电子状态和能带 c: 半导体中的电子运动有效质量 d: 本征半导体的导电机构 空穴 e: 回旋共振 f: 硅和锗的能带结构 2)半导体中杂质和缺陷能级 a: 硅、锗晶体中的杂质能级 b: 缺陷、位错能级 3)半导体中载流子的统计分布 a: 状态密度 b: 费米能级和载流子的统计分布 c: 本征半导体的载流子浓度 d: 杂质半导体的载流子浓度 e: 一般情况下的载流子统计分布 f: 简并半导体 4)半导体的导电性 a: 载流子的漂移运动 b: 载流子的散射 c: 迁移率与杂质浓度和温度的关系 d: 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 e: 强电场下的热载流子效应 5)非平衡载流子 a: 非平衡载流子的产生和复合 b: 非平衡载流子的寿命 c: 准费米能级 e: 复合理论 d: 陷阱效应 e: 载流子的扩散运动 f: 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式 g: 连续性方程式 6)金属和半导体的接触 a: 金属半导体接触及其能带图 b: 金属半导体接触整流理论 c: 少数载流子的注入和欧姆接触 7)半导体表面与 MIS 结构 a: 表面态 b: 表面电场效应 c: MIS 结构的电容和电压特性 d: 硅-二氧化硅系统的性质 e: 表面电导及迁移率 8)半导体霍尔效应和半导体压阻效应
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