2018年宁波大学2604半导体器件考博大纲博士研究生入学考试大纲

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2018 年宁波大学博士研究生招生考试初试科目
考 试 大 纲
科目代码、名称: 半导体器件
一、考试形式与试卷结构
（一）试卷满分值及考试时间
本试卷满分为 100 分，考试时间为 180 分钟。
（二）答题方式
答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成；答案必须写在答题纸（由考点提供）
相应的位置上。
（三）试卷内容结构
考试内容包括半导体物理基础，双极型晶体管、MOSFET 和 MESFET 器件的工作原理、特
性和模型，以及影响其特性的主要因素，热电器件和光电器件的基本工作原理。
（四）试卷题型结构
1. 选择题
2. 名词解释
3. 简答题
4. 计算题
二、考查目标
课程考试的目的在于考察考生对半导体器件的基本结构、工作原理、性能和基本分析方
法的掌握程度，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
三、考查范围或考试内容概要
1、半导体器件物理基础
半导体物理基础，半导体工艺技术。
2 、P-N 结
工艺步骤， 热平衡，势垒电容， 电流-电压特性， 电荷储存与暂态响应，击穿，异质结。
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3 、双极型晶体管及相关器件
双极型晶体管工作原理，静态特性，频率响应与开关特性，异质结双极型晶体管，可控
硅器件及相关功率器件。
4 、MOSFET 及相关器件
基本原理， 按比例缩小，CMOS 与双极型 CMOS（BICMOS， 绝缘层上 MOSFET（SOI），功
率 MOSFET。
5、MESFET 及相关器件
金属-半导体接触，金属场效应晶体管（MESFET）， 调制摻杂场效应晶体管。
6、微波二极管、量子效应和热电子器件光电器件
微波技术，隧道二极管，碰撞电离雪崩渡越时间二极管，转移电子器件，量子效应器件，
热电子器件。
7 、光电器件
辐射跃迁与光的吸收，发光二极管，半导体激光器，光探测器，太阳能电池。
参考教材或主要参考书：
《半导体器件物理》施敏，西安交通大学出版社，2008.