2018年宁波大学2604半导体器件考博大纲

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考研试卷库
2018年宁波大学2604半导体器件考博大纲

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2018 年宁波大学博士研究生招生考试初试科目
考 试 大 纲
科目代码、名称: 半导体器件
一、考试形式与试卷结构
(一)试卷满分值及考试时间
本试卷满分为 100 分,考试时间为 180 分钟。
(二)答题方式
答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)
相应的位置上。
(三)试卷内容结构
考试内容包括半导体物理基础,双极型晶体管、MOSFET 和 MESFET 器件的工作原理、特
性和模型,以及影响其特性的主要因素,热电器件和光电器件的基本工作原理。
(四)试卷题型结构
1. 选择题
2. 名词解释
3. 简答题
4. 计算题
二、考查目标
课程考试的目的在于考察考生对半导体器件的基本结构、工作原理、性能和基本分析方
法的掌握程度,以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
三、考查范围或考试内容概要
1、半导体器件物理基础
半导体物理基础,半导体工艺技术。
2 、P-N 结
工艺步骤, 热平衡,势垒电容, 电流-电压特性, 电荷储存与暂态响应,击穿,异质结。
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3 、双极型晶体管及相关器件
双极型晶体管工作原理,静态特性,频率响应与开关特性,异质结双极型晶体管,可控
硅器件及相关功率器件。
4 、MOSFET 及相关器件
基本原理, 按比例缩小,CMOS 与双极型 CMOS(BICMOS, 绝缘层上 MOSFET(SOI),功
率 MOSFET。
5、MESFET 及相关器件
金属-半导体接触,金属场效应晶体管(MESFET), 调制摻杂场效应晶体管。
6、微波二极管、量子效应和热电子器件光电器件
微波技术,隧道二极管,碰撞电离雪崩渡越时间二极管,转移电子器件,量子效应器件,
热电子器件。
7 、光电器件
辐射跃迁与光的吸收,发光二极管,半导体激光器,光探测器,太阳能电池。
参考教材或主要参考书:
《半导体器件物理》施敏,西安交通大学出版社,2008.
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