2018年华中科技大学3555半导体光电器件考博大纲

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华中科技大学博士研究生入学考试
《半导体光电器件》考试大纲
（科目代码： 3555 ）
第一部分考试说明
一、考试性质
全国博士研究生入学考试是为高等学校招收博士研究生而设置的。它的评价标准
是高等学校优秀硕士毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有良好
的电子学理论基础，并有利于高等学校在专业上择优选拔。
考试对象为参加当年全国博士研究生入学考试的硕士毕业生，或具有同等学力的
在职人员。
二、考试的学科范围
考试内容包括：固体物理和半导体物理的基本概念与原理，以及其在光、电、热
方面的应用。考试要点详见本纲第二部分。
三、评价目标
本课程考试的目的是考察学生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的
掌握程度和利用其解决光电器件领域相关问题的能力。
四、考试形式与试卷结构
（1）答卷方式：闭卷，笔试。
（2）答题时间：180 分钟。
（3）各部分内容的考查比例：满分 100 分。
固体物理约 15％
半导体基本概念约 30％
半导体同质与异质结约 30％
半导体光电热效应及器件约 35％
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（4）题型比例：
概念型（包括简答、判断、简单计算等）约 20%
分析型约 20%
计算型约 60%
第二部分考查要点
二、考察要点
1. 晶体结构与能带理论
晶向、晶面、晶体点阵，点群的基本概念，几种固体结合的特性，晶格振动，光
学波、声学波，晶格热传导，倒易空间，布里渊区
2. 半导体基本概念
金属、半导体和绝缘体的区分，禁带宽度，掺杂类型与浓度计算，晶体缺陷，费
米分布函数，本征和杂质半导体的载流子浓度，电导率与迁移率及其与杂质浓度和温
度的关系，非平衡载流子的寿命与复合，载流子的迁移与扩散
3. 半导体同质与异质结
PN 结及其能带图，PN 结电流电压特性，PN 结电容与击穿，欧姆接触和肖特基接
触，表面态和 MIS 结构的 CV 特性，半导体异质结及其能带结构，半导体量子阱，GaN
机半导体异质结构
4. 半导体的光、电、热效应及其器件
半导体光学常数和光吸收，光电导和光电探测器，半导体发光和发光二极管，热电
效应和温差电动势，太阳能电池与场效应晶体管工作原理及表征。
第三部分考试样题（略）