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2018年大连理工大学805半导体物理考研大纲
大连理工大学 2018 年硕士研究生入学考试大纲科目代码:805 科目名称:半导体物理试题分为简答题和分析题,其中简答题占 33%,分析题(计算题、简单的推导、证明或画图题)占 67%,具体复习大纲如下:一、晶体结构1、晶体结构的周期性和晶格的对称性.2、布拉伐格子和倒格子.3、常见半导体的晶体结构.二、晶格振动和晶格缺陷1、一维原子链和三维晶格中的原子振动.2、玻恩/卡门边界条件和布里渊区.3、晶格中的缺陷和杂质.三、半导体中的电子状态1、电子的运动状态和能带.2、价带、导带、禁带和载流子.3、杂质能级和杂质补偿效应.四、半导体中载流子的统计分布1、状态密度及费密分布函数.2、导带电子密度和价带空穴密度.3、本征半导体、杂质半导体和简并半导体.五、半导体中的电导现象和霍耳效应1、载流子散射.2、电导现象和霍耳效应.六、非平衡载流子1、非平衡载流子的产生和复合.2、连续性方程.3、非平衡载流子的扩散与漂移.七、半导体的接触现象1、金属/半导体接触的整流现象.2、pn 结及其整流现象.3、异质结.八、半导体表面1、表面态与表面空间电荷区.2、表面场效应现象和 MIS 结构.3、MOS 的电容/电压特性.