2020年西安交通大学CMOS集成电路设计考研大纲

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考研试卷库
2020年西安交通大学CMOS集成电路设计考研大纲

西安交通大学

2020CMOS集成电路设计(910)考试大纲

考试科目:CMOS数字集成电路、CMOS模拟集成电路

 

考试形式和试卷结构

一、试卷满分及考试时间

试卷满分为150分,考试时间为180分钟.

二、试卷内容结构

CMOS数字集成电路                          约90%

    CMOS模拟集成电路                           60%

三、试卷题型结构

简答题                                              10小题  50

解答题(包括计算、电路分析、版图结构等)             8小题,共100

 

 

考试范围

   CMOS数字集成电路)

1. CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;

2. CMOS传输门;

3. CMOS组合逻辑电路;

4. CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)

5. 动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑)

6. 数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;

7. 数字集成电路设计流程、设计方法

 

   CMOS模拟集成电路)

8. 单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜;

9. 运算放大器结构与设计;

10. 模拟集成电路中的反馈;

11. 放大器的频率特性与频率补偿

 

 

 

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