2014年山东建筑大学电子技术复试笔试考研大纲硕士研究生入学考试大纲

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2014年山东建筑大学电子技术复试笔试考研大纲硕士研究生入学考试大纲


     《电子技术》复试大纲
一、课程考核的基本要求
模拟电子技术部分:
1、 半导体二极管及其基本电路
基本要求:了解半导体的基本知识及 PN 结的形成,掌握 PN 结的特性——单向导电性。
熟悉二极管的结构、符号,掌握二极管的 V—I 特性、主要参数和二极管正向 V—I 特性的建
模。会用模型分析法分析二极管应用电路。熟悉几种特殊二极管(稳压、变容、发光、光电
二极管)的工作原理及应用。
重点:二极管的特性及功能,用二极管模型分析法分析各种应用电路。稳压管的特性与
应用。
2、半导体三极管及放大电路基础
基本要求:熟悉三极管的结构、符号,理解三极管电流放大作用的物理概念及电流分配
关系,掌握三极管共射接法的特性曲线和主要参数。了解复合管的基本原理。掌握放大电路
的组成原则,放大电路的主要性能指标,放大电路的分析方法。掌握三种基本组态放大电路
的静态工作点、动态参数(电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻)的计算方法,H
参数等效电路及其应用。掌握如何确定 Q 点和确定最大不失真输出幅度的方法,正确理解三
极管三种工作状态的主要特点和 Q 点设置对波形失真的影响。理解单管放大电路的频率响应,
了解上限频率 fH、下限频率 fL、通频带 BW 和频率失真、波特图等基本概念。
重点:三极管的电流分配关系及放大原理。三极管三种工作状态的主要特点及判别方法。
共射(包括射极偏置电路)、共集放大电路的组成和静态、动态指标的计算。用图解法确定
基本共射放大电路 Q 点和最大不失真输出幅度。
3、 场效应管放大电路
基本要求:了解 JFET、MOSFET 器件的结构、工作原理、特性曲线、主要参数、特点及使
用注意事项。熟悉场效应管的直流偏置电路。掌握场效应管放大电路共源、共漏接法和小信
号模型、放大电路的静态及动态性能。
重点:能正确的选用、识别器件,共源、共漏电路的组成与特点,应用小信号模型法分
析估算共源电路的动态指标。
4、功率放大电路
基本要求:了解功率放大电路的特点及主要研究对象,熟悉放大器的三种工作方式—甲
类、乙类和甲乙类的特点。熟练掌握双电源互补对称功率放大电路(OCL 电路)的组成和工
作原理,会用图解分析法计算输出功率、功耗、效率等指标。了解功放管的选择方法。正确
理解单电源互补对称功率放大电路(OTL 电路)的工作原理及指标计算。了解集成功率放大
器的应用。
重点:双电源互补对称功率放大电路(OCL 电路)的组成和工作原理,输出功率、功耗、
  

       
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