宁波大学875电子线路基础A卷2015年考研真题考研试题

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宁波大学875电子线路基础A卷2015年考研真题考研试题


     宁波大学 2015 年攻读硕士学位研究生
入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 电子线路基础 科目代码: 875
适用专业: 理论物理、凝聚态物理、光学、光电子学、固体电子物理
第 1 页 共 7 页
模拟电子技术部分(75 分)
一、单项选择题(共 30 分,3 分*10)
1、已知图中二极管的反向击穿电压为 100V,在 V=10V 时,测得 I=1μA 。
1). 当 V 增加到 20V 时,I 将 。
A、为 2μA 左右, B、小于 1μA , C、变化不大, D、远大于 2μA
2).保持 V 不变,温度升高 10℃,则 I 将 。
A、为 2μA 左右, B、小于 1μA , C、变化不大, D、远大于 2μA
R
VD UDV
I
10k
2、NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于 。
A、半导体材料硅和锗的不同, B、掺杂元素的不同
C、掺杂浓度的不同, D、P 区和 N 区的位置不同。
3、已知某晶体管的特征频率 fT =150MHz,低频时 500 β ,
则该管的截止频率 f 约为 。
A、1MHz, B、3MHz , C、10MHz , D、50MHz;
4、差分放大电路利用恒流源代替 Re是为了 。
A、提高差模电压放大倍数, B、提高共模电压放大倍数, C、提高共模抑制比
5、已知电路中晶体管的β 均为 100,输入电压均为有效值等于 10mV 的 1kHz 正弦信号,
估计输出电压有效值约为 。
A、10mV, B、100mV, C、1V, D、10V
  

       
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