华南理工大学862电子技术基础(含数字与模拟电路)2008年考研真题考研试题
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华南理工大学862电子技术基础(含数字与模拟电路)2008年考研真题考研试题

     862
华南理工大学
2008 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
（请在答题纸上做答，试卷上做答无效，试后本卷必须与答题纸一同交回）
科目名称：电子技术基础(含数字与模拟电路)
适用专业：声学，光学，微电子学与固体电子学，生物医学工程
共 4 页
第 1 页
第一部分：模拟电路（75 分）
一、（12 分）如图 1 所示为两个放大电路的直流通路，试计算、判断管子的工作状
态。若不处于放大区，如何调整偏置电阻使其工作在放大区。
(a) (b)
图 1
二、（15 分）如图 2 所示单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如图 2（b）所示。
已知＋VDD＝＋15V，Rg1＝90 kΩ，Rg2＝10 kΩ，RD=3 kΩ，RS＝3 kΩ，r =100
MΩ， =100 kΩ；试求：
gs
rds
（1）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T的伏安特性方程可近似
为：
2
P
GS
D 1 ⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
V
V
II DSS －＝ ，VP为夹断电压）。
（2）计算放大器的输入电阻 和输出电阻 ；Ri Ro
（3）计算场效应晶体管在静态工作点处的跨导 ；gm
（4）计算放大器的电压放大倍数 ；Au
  

       
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