华南理工大学846电介质物理学2014年考研真题考研试题-考博信息网

华南理工大学846电介质物理学2014年考研真题考研试题

846
华南理工大学
2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）
科目名称：电介质物理学
适用专业：材料学，微电子学与固体电子学
共 2 页
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一、填空（50 分，每空 2 分）
1、有效电场是指。对于非极性气体电介质或高对
称性的立方点阵原子、离子晶体，方程比较适用，具体的
表达公式为。
2、不同电介质中存在不同的极化形式，其中出现在所有介质中；
出现在离子键构成的电介质中；主要存
在于不均匀的介质中；、都是与热运动有
关的极化形式，当电场的频率足够高时，电介质的极化主要以
和为主。
3、离子晶体中的热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷，形成单一的离子空位的缺
陷称为；填隙离子和离子空位同时成对产生的缺陷称为
。在肖特基缺陷中，导电载流子主要是；在弗伦克尔缺陷中，
导电载流子主要是。导电离子半径大、结构紧
密的晶体，主要形成缺陷；而结构松散的晶体，特别是当其中一种离
子的尺寸较小时，主要形成缺陷。
4、气体电介质自持放电的条件为：。提高气体电介质击穿电
压的途径有：（1）；（2）。
5、电介质的电导率可表示为：。提高电介质绝缘性能的途径有：
（1）；（2）。
6、光在电介质中的折射率与介电常数的关系式可表示为：。

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