湖北工业大学914材料科学基础B2009年考研真题答案考研试题答案
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湖北工业大学914材料科学基础B2009年考研真题答案考研试题答案

     标答（B 卷）
一、解释下列基本概念（20 分）
热缺陷：也称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位和（或）间隙质点（原子或离
子）。包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。
杂质缺陷：也称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。
介稳相：当系统处于能从一个相转变为另一相的条件下，由于某种原因（例如快速加热或快
速冷却），这种转变并不发生而出现了延滞转变的现象，从而使某一相在它稳定存在
的范围之外并不转变成新条件下的稳定相而继续保持了原有状态，这样的相称为介
稳相。
凝聚系统：没有气相或虽有气相但其影响可忽略不计的系统。
稳态扩散：空间任意一点的浓度不随时间变化，扩散通量不随位置变化。
非稳态扩散：空间任意一点的浓度随时间变化，扩散通量随位置变化。
重构型相变：相变前后有旧键破坏和新键形成，相变需要的能量高、速度慢。
位移型相变：相变时只是原子间键长、键角的调整，没有旧键破坏和新键形成，相变需要的
能量低、速度快。
初次再结晶：从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。
二次再结晶：坯体中少数大晶粒尺寸的异常增加，其结果是个别晶粒的尺寸增加。
二、（8 分）
BCGF（100）、CDHG（010）、EFGH（001）、BCI（102）、BDHF（110）、ACH（ 111 ）
AB[100]、AC[110]、AF[101]、AG[111]、AJ[211]、AK[121]、AL[112]、KL[ 110 ]
三、问答题（共 54 分）
1、硅酸盐晶体滑石的化学式为 Mg3[Si4O10](OH)2，判断其结构类型，用氧化物写法表征滑石
的分子式，分析其结构和解理特性。（9 分）
滑石的 Si/O 比为 4:10，属于层状结构类型。用氧化物写法表征滑石的分子式
3MgO·4SiO2·H2O。
硅氧六节环构成层状结构，OH
－
位于六节环中心，Mg
2+
位于 Si
4+
与 OH
-
形成的三角形的中心，
但高度不同。两个硅氧层的活性氧指向相反，中间通过镁氢氧层（即水镁石层）连接，形成
滑石结构的复网层。复网层中活性氧的电价饱和，OH
-
中的氧的电价也是饱和的，所以复网层
呈电中性。层与层之间只能依靠较弱的分子间力来结合，致使层间易相对滑动，所以滑石晶
体具有良好的片状解理特性，并具有滑腻感。
2、固溶体是如何分类的？形成连续固溶体的充分必要条件是什么？（9 分）
根据外来组元在基质晶体中所处位置不同，可分为置换固溶体和间隙固溶体。按外来组
元在基质晶体中的固溶度，可分为连续型（无限型）固溶体和有限型固溶体。
形成连续固溶体的充分必要条件：1）满足经验规则 %15
1
21



r
rr
r ，其中 r1 和 r2 分
  

       
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