|
黑龙江科技学院
2010 年硕士研究生入学考试试题（A）参考答案
考试科目：材料科学基础（满分 150 分 时间 180 分钟）共 2 页
第 1 页 共 2 页
一、单选题（每题 3 分 共 75 分）
1、C；2、A；3、A；4、B；5、C；6、A；7、C；8、A；9、C；10、B；11、
B；12、C；13、A；14、C；15、A；16、C；17、B；18、B；19、B；20、
A
二、（15 分）
1、FCC 八面体间隙半径：r=0.414R，间隙中心坐标：（1/2，1/2，1/2）；
四面体间隙半径：r=0.225R，间隙中心坐标：（3/4，1/4，3/4）
2、γ -Fe 中的 C 原子一般处于八面体间隙位置，wc=17.70%；
3、wc=2.11%,由于 C 原子半径大于间隙半径而引起晶格畸变，只占据
少数间隙。
三、（15 分）
位错反应：（a/2）[110]→（a/6）[121]+（a/6）[211]
F=Gb1·b2/2πd=γ 。b1=（a/6）[121],b2=（a/6）[211]
b1 与 b2 之间的夹角为 60
0
,d=Gb1·b2/2πγ =Ga
2
/24πγ
四、（20 分）
一次渗碳体，共晶渗碳体、二次渗碳体、共析渗碳体、三次渗碳体。
渗碳体为（4.30-0.0008）/(6.69-0.0008)*100%=64.2%；共晶渗碳体为
（4.30-2.11）/(6.69-2.11)*100%=47.8%；二次渗碳体为（2.11-0.77）
/(6.69-0.77)*(6.69-4.30)/(6.69-2.11)*100%=11.8%；共析渗碳体为
4.5%；三次渗碳体为 0.1%。
五、（15 分）
（1）、形核时的吉布斯自由能变化为
∆G=V∆GV+Aσ=a
3
∆GV+6 a
2
σ 令 d（∆G）/da=0
得临界晶核边长 a
*
=-4σ/∆GV
（2）、∆G
*
=V
*
∆GV+A
*
σ=32σ3
/（∆GV）
2
（3）、∆G
*
=（1/3） A
*
σ
六、（10 分）
金属在冷加工后,各晶粒的位向间就有一定的关系,这样的一种位向分
布就称为择优取向,即织构.原因:在加工过程中每个晶粒都沿一定的滑移
，更多更新年份持续更新，请在本站的考博信息网|www.kaoboinfo.com中的“考研试卷库”学校栏目中查询下载。
|
您现在的位置： 
