杭州电子科技大学846半导体物理考研试题样题-考博信息网

杭州电子科技大学846半导体物理考研试题样题

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杭州电子科技大学
攻读硕士学位研究生入学考试
《半导体物理》试题
（试题共大题，共页，总分 150 分）
姓名报考专业准考证号
【所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效！】
一、多项选择题（本大题共 4 小题，每小题 5 分，共 20 分）
1．半导体材料是指
A）导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
B）有时候能导电，有时候不导电的材料。
C）禁带宽度小于 5eV 的材料。
D）禁带宽度大于 5eV 的材料。
2. 半导体材料中的施主指
A）材料中存在的外围电子数大于基体材料外围电子数的杂质。
B）材料中存在的外围电子数小于基体材料外围电子数的杂质。
B）材料中存在的能够向导带提供电子的缺陷。
C）材料中存在的能够向价带提供电子的缺陷。
3. 导带电子的有效质量指
A）把电子的静止质量换算成爱因斯坦质能方程对应的质量。
B）考虑了相对论效应影响后电子的质量。
C）考虑了晶格场影响以后电子的质量。
D）考虑了随机碰撞后电子的质量。
4. 价带空穴指
A）晶体中存在的电荷与电子相反的正电子。
B）价带中存在的正电子。
C）价带中缺少了电子后的空状态。
D）价带空穴不少实际存在的粒子。
二、简答题（本大题共 10 小题，每小题 10 分，本大题共 100 分）
1．简述本征半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。
2．简述掺杂半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。
3. 简述半导体材料的电导率随温度的变化情况。
4. 简述半导体材料的电导率随载流子浓度的变化。
5. 简述半导体材料中的载流子在外场下的运动特点。

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