2017年杭州电子科技大学846半导体物理考研大纲-考博信息网

2017年杭州电子科技大学846半导体物理考研大纲

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杭州电子科技大学
全国硕士研究生入学考试业务课考试大纲
考试科目名称：半导体物理科目代码：846
一、物理基础
1．晶体中原子的结合。
2．晶体结构与对称性。
3．常见晶体结构。
4．晶格振动与声子。
5．光学声子与声学声子。
二、半导体材料的能带结构
1．能带的形成。
2．导带、价带、禁带及禁带宽度。
3．材料的导电性能与能带结构的关系。
4．直接带隙与间接带隙。
5．导带电子与价带空穴，载流子。
6．电子与空穴的有效质量。
7．施主与受主，类氢原子近似。
8． P 型、N 型和本征半导体材料的特点。
9．杂质对半导体导电性能的影响。
三、半导体材料的电学性能
1．外场下半导体材料中载流子的运动形式。
2．半导体材料的迁移率与电导率。
3．半导体材料的电学性能随温度的变化。
4．半导体材料的电学性能随杂质浓度的变化。
5．半导体材料的光电导与非平衡载流子。
6．半导体材料的霍尔效应。
7．半导体材料的热电现象。
四、半导体器件
1. PN 结的结构与电学性能，I-V 曲线。
2. MOS 器件的结构、工作原理及电学性能特点。
3. 双极型三极管的结构、工作原理及电学性能特点
4. 发光二极管的工作原理。
5. 太阳能电池的工作原理。
6. 半导体温度传感器的工作原理。
五、半导体材料分析测试技术
1. 半导体材料禁带宽度的测量方法。
2. 半导体材料中杂质电离能的测量。
3. 半导体材料载流子浓度的测量方法。
4. 半导体材料电阻率的测量。
5. 半导体材料中载流子迁移率的测量方法。

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