桂林电子科技大学909材料科学基础BB2014年考研真题考研试题
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桂林电子科技大学909材料科学基础BB2014年考研真题考研试题

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桂林电子科技大学 2014 年研究生统一入学考试试题
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。）
一、名词解释（任选 6 题作答，每题 5 分，共 30 分）
1、肖特基缺陷； 2、显微组织； 3、螺型位错； 4、上坡扩散； 5、柯肯达尔效应；
6、奥氏体；7、位移相变；8、二次再结晶
二、简答题（任选 4 题作答，每题 10 分，共 40 分）
1、证明立方晶系中具有相同指数的晶向与晶面相互垂直，即(h k l) ┴ [h k l]。
2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。
3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件
是什么？
4、简述 F-R（弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。
5、下图为某材料的扩散系数和温度的关系曲线。说明(1)、（2）和（3）温区各属于什么扩散？
6、Al2O3 溶入 MgO 中形成空位型固溶体，试写出其缺陷反应式。
三、作图分析题（任选 2 题作答，每题 15 分，共 30 分）
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的 )321( 晶面以及 ]123[ 晶向。
2、分析位错反应 ]111[
3
]211[
6
]110[
2
aaa
 能否发生？（要求写出判断依据）。
3、根据 MgO-SiO2 系统相图（下图）说明，镁质耐火材料配料中 MgO 含量为何应大于 Mg2SiO4
中 MgO 含量？
  

       
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