桂林电子科技大学909材料科学基础(B)A2014年考研真题考研试题
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桂林电子科技大学909材料科学基础(B)A2014年考研真题考研试题

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桂林电子科技大学 2014 年研究生统一入学考试试题
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。）
一、名词解释（任选 6 题作答，每题 5 分，共 30 分）
1、布拉菲格子； 2、弗伦克尔缺陷； 3、位错； 4、非均匀形核； 5、扩散通量；
6、珠光体; 7、桥氧；8、烧结
二、简答题（任选 4 题作答，每题 10 分，共 40 分）
1、从结构、缺陷和物化性能等方面阐述晶界的特征。
2、何为固溶强化？影响固溶强化的因素有哪些？
3、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？
4、写出 Hall-Petch 公式，并说明公式中各字母的含义。
5、NaCl 溶入 CaCl2 中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？
三、作图分析题（任选 2 题作答，每题 15 分，共 30 分）
1、在同一晶胞中画出 fcc 晶体中的 )021( 晶面以及 ]211[ 晶向。
2、分析位错反应 ]111[
2
]111[
2
]010[]100[
aa
aa  能否发生？（要求写出判断依据）。
3、根据 Al2O3-SiO2 系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意
什么？
4、在 Al2O3 陶瓷烧结中，通常加入 TiO2 可有效地降低烧结温度，并促进烧结。请说明原因？
（提示：从形成缺陷的角度考虑）
四、计算题（任选 1 题作答，20 分）
1、某晶体生长机制为二维形核模型时，如果在固液界面形成的晶核为圆柱形（如下图所示），
  

       
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