桂林电子科技大学817电子技术综合B2014年考研真题考研试题

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桂林电子科技大学817电子技术综合B2014年考研真题考研试题


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桂林电子科技大学 2014 年研究生统一入学考试试题
科目代码:817 科目名称:电子技术综合(A)
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
第一部分 模拟电子技术(满分 75 分)
一、选择题(每题 2 分共 20 分)
1、由 NPN 管组成的单管共射放大电路,当输入正
弦波电压时,输出 uO 如图 2-1 所示,可确定输出波
形产生的失真为( )。
A、饱和失真 B、截止失真
C、交越失真 D、频率失真
2、某差分放大器的差模电压增益为 1000,共模抑制比为 100dB,则共模电压增益为( )。
A、0.01 B、0.01dB
C、10 D、10dB
3、、集成运放接成迟滞电压比较器时,电路形式应为( )。
A、电压负反馈 B、串联负反馈
C、并联负反馈 D、正反馈
4、某负反馈放大电路,其开环增益 9.9mSiu
A 
,反馈系数 10ui
F k 
,开环输入电阻
5.0i
R K  
,可推算出其闭环输入电阻 if
R
=( )。
A. 500 k  ; B. 50 k  ; C.50 ; D. 5
5、在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率 fL 降低,应( )。
A. 减小 C,减小 Ri B. 减小 C,增大 Ri
C. 增大 C,减小 Ri D. 增大 C,增大 Ri
6、差分放大电路由双端输出改为单端输出,共模抑制比 KCMR 减小的原因是( )。
A、 vd
A 不变, vc
A 增大 B、 vd
A 减小, vc
A 不变
O
u
0
2 1图
t
  

       
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