桂林电子科技大学817电子技术综合B2013年考研真题考研试题

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桂林电子科技大学817电子技术综合B2013年考研真题考研试题


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桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试试卷
考试科目代码:817 考试科目名称:电子技术综合(A)
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试卷上无效)。
(各题标题字号为黑体 5 号字,题干字号为标准宋体 5 号字。)
一、 选择题(共 30 分,每题 3 分)
1、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。它们的类型为:( )
0 u DS
i D
U GS =1V
0V
- 1V
- 2V
- 3V
0
i D
U GS =0V
1V
2V
4V
3V
0
i D
U GS =-6V
-5V
-4V
-2V
-3V
u DSu DS
g
i D
u DS
d
s
u GS
( a ) ( b ) ( c )
A. (a)绝缘栅,耗尽型,P 沟道(b)结型,N 沟道(c)绝缘栅,增强型,N 沟道
B. (a)绝缘栅,增强型,P 沟道(b)结型,P 沟道(c)绝缘栅,耗尽型,N 沟道
C. (a)绝缘栅,耗尽型,N 沟道(b)结型,P 沟道(c)绝缘栅,增强型,P 沟道
D. (a)绝缘栅,增强型,N 沟道(b)结型,N 沟道(c)绝缘栅,耗尽型,P 沟道
2、某射极跟随器的 VE C
12 ,  KRL
2 ,静态工作点为 mAI EQ
3 , VU CEQ
6 。若晶体管的静
态饱和压降 VU CES
7.0 ,则该电路跟随输入电压的最大不失真输出振幅 om
U 为:
A. V3.5 B . V6 C . V3 D . V5.1
3、在图放大电路中,若换上一个 比原来大的晶体管后,出现了非线性失真,则该失真一定是:
A. 饱和失真 B . 截止失真 C. 双重失真 D . 交越失真
4、放大电路在高频段增益值下降的原因是:( )
A.放大电路的静态工作点不稳定 B .半导体晶体管的非线性特性
C .耦合电容和旁路电容的影响 D .晶体管极间电容和分布电容的影响
5、图示迟滞电压比较器中,已知稳压管的击穿电压为 6V,则阈值电压为( )。
  

       
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