2015年桂林电子科技大学206电磁场与微波技术考研复试真题考研复试试题

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2015年桂林电子科技大学206电磁场与微波技术考研复试真题考研复试试题


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桂林电子科技大学 2015 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码:206(A 卷) 考试科目名称:电磁场与微波技术
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试卷上无效)。
一、 填空题(22 分,每空 1 分)
1. 理想介质中,均匀平面波波阻抗为(1)(填“实”或者“虚”) 数,表
明电场和磁场(2)相位(填“同”或者“反”)。
2. 请补全复数形式的麦克斯韦方程: H  

(3) , E  

(4) , H  

(5) , D  

(6) 。
3. 如下图所示:上、下半空间分布为媒质 1 和媒质 2,介电系数分别为 1

和 2
 ,仅在媒质 1 中闭曲面 S 包围的区域 0 内有电荷分布,电荷密度为
 。则区域 0、区域 1 和区域 2 中的电位所满足的方程分别是(7) 、
(8)和(9) 。
4. 设自由空间均匀平面波的电场复数表示形式为  12
jkz
x y
E e e j e

 
  
,则
其实数表示形式为 (10) ,波传播方向为(11) (填“+z”或者“-z”),
该平面波为(12) (填“左”或者“右”)旋(13)极化波。
5. 在法向单位矢量为 n
e 的理想导体表面处,电场强度 E 与磁场强度 H 所
满足的边界条件分别为 (14) 和 (15) 。
6. 当无耗线终端短路时,在负载处,电压为(16) (填“最大”或“最
小”),传输线上阻抗呈 (17) 特性。
7. 双重简并是指 (18) 。
8. 传输线上的分布参数阻抗随(19) 而变,分布于沿线各点,具有 (20)
  

       
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