资源简介：2013年桂林电子科技大学材料科学基础B考研复试真题考研复试试题    

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桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码： 223 考试科目名称：材料科学基础（B 卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、名词解释（每题 4 分，共 20 分）
1、均匀形核；2、弗伦克尔缺陷；3、上坡扩散；4、位错；5、奥氏体
二、简答题（每题 10 分，共 40 分）
6、（1）何为固溶强化？（2）影响固溶强化的因素有哪些？（3）固溶强化的位错机制是什
么？（4）形成无限固溶体的必要条件是什么？
7、分析位错反应 ]111[
3
]211[
6
]110[
2
aaa
 能否发生？（要求写出判断依据）
8、写出 BCC 晶体结构的配位数，致密度，密排晶面，并计算密排面的面间距（设晶格常
数为 a，要求写出计算过程）。
9、何为显微组织；写出铸锭或铸件典型的凝固组织包含哪三个组成部分？并画出相应的组
织示意图。
三、计算题(10 分)
10、碳的质量分数为 0.1％的低碳钢，置于渗碳质量为 1.2％的渗碳气氛中，在 920ºC 进行
渗碳，如果要求离表面 0.002m 处碳的质量分数达到 0.45％，问渗碳时间为多长？（已知碳
在铁中的 920ºC 的扩散激活能为 133984 J/mol, D0=0.23 cm2
/s，误差函数表如下所示）。
Z erf(Z) Z erf(Z)
0.00 0.00000 0.65 0.64203
0.05 0.05637 0.70 0.67780
0.10 0.11246 0.75 0.71116
0.15 0.16800 0.80 0.74210
0.20 0.22270 0.85 0.77067
0.25 0.27633 0.90 0.79691
0.30 0.32863 0.95 0.82089
0.35 0.37938 1.00 0.84270
0.40 0.42839 1.05 0.86244
0.45 0.47548 1.10 0.88021
0.50 0.52050 1.15 0.89612
0.55 0.56332 1.20 0.91031
0.60 0.60386 1.25 0.92290
四、综合分析题(30 分)
11、根据下图所示的 Ag—Cu 二元合金相图(第 2 页)，回答以下问题。
共 2 页 第 1 页

 

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