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2013年桂林电子科技大学材料科学基础A考研复试真题考研复试试题

     桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码： 223 考试科目名称：材料科学基础（A 卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、名词解释（每题 4 分，共 20 分）
1、非均匀形核；2、肖特基缺陷；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、珠光体
二、简答题（每题 10 分，共 40 分）
6、（1）什么是细晶强化？（2）细晶强化的机理是什么？（3）写出 Hall-Petch 公式，并说
明公式中各字母的含义以及该公式在细晶强化方面的应用价值。（4）材料在凝固的过程中，
获得细晶粒的措施主要有哪些？
7、分析位错反应 ]111[
2
]111[
2
]100[
aa
a  能否发生？（要求写出判断依据）
8、写出 FCC 晶体结构的配位数，致密度，密排晶面，并计算密排面的面间距（设晶格常
数为 a，要求写出计算过程）。
9、假设晶体内部原子从 A 处迁移到 B 处，在 500°C 时的跳跃频率（Γ）为 5×108
次/s，800°C
时的跳跃频率为 8×108
次/s，请计算扩散激活能 Q。
三、计算题(10 分)
10、平整型界面晶体的长大可以看成是以二维晶核向晶体表面覆盖的方式进行，设二维晶
核为四方结构（如下图所示），其边长为 a，厚度为 b，试证明二维晶核的临界形核尺寸为：
V
G
a


2
* 。（注： 表示固液两相之间的界面能，ΔGV 表示结晶过程中的体积自由能变化）
四、综合分析题(30 分)
11、根据下图所示的 Fe-Fe3C 相图 (第 2 页)
（图中未标注的各点的横坐标分别为，H：0.09，J：0.17，B：0.53，P：0.0218，Q：0.0008）
共 2 页 第 1 页
  

       
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