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2013年桂林电子科技大学半导体物理A考研复试真题考研复试试题

     桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试
复试试卷 A
考试科目代码：227 考试科目名称：半导体物理
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、单项选择题（每题 2 分，共 20 分）
1、本征半导体是指（ ）
A、施主掺杂的半导体 B、受主掺杂的半导体
C、没有杂质和缺陷的半导体 D、施主、受主共掺杂的半导体
2、直接带隙半导体的辐射效率（ ）
A、较高 B、较低 C、跟带隙类型无关
3、对于一定的 n 型半导体，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（ ）靠近 Ei。
A、Ec B、Ev C、Eg D、EF
4、关于 PN 结说法错误的是（ ）
A、平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等
B、pn 结空间电荷区中的内建电场起到阻碍电子和空穴继续扩散的作用
C、pn 结是结型半导体器件的心脏
D、所谓平衡 pn 结指的是热平衡状态下的 pn 结
5、光电导效应是指（ ）
A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度
C、光照引起半导体材料电导率的变化 D、光照产生光致发光
6、非平衡载流子就是（ ）
A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对
C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子
7、公式 μ=qτ/m*中的 τ 是半导体载流子的（ ）
A、迁移时间 B、寿命 C、平均自由时间 D、扩散时间
8、关于公式 2
i
np n ，下列说法正确的是（ ）
A、此公式仅适用于本征半导体材料
B、此公式仅适用于杂质半导体材料
C、此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料
D、对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用
9、下列哪个参数不能由霍尔效应确定（ ）
A、载流子浓度 B、迁移率 C、有效质量 m*
10、pn 结击穿主要有以下三种机制（ ）
A、雪崩击穿、隧道击穿、跃迁击穿
B、雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿
C、热点击穿、隧道击穿、跃迁击穿
D、雪崩击穿、热电击穿、跃迁击穿
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