广东工业大学(841)半导体物理2012年考研真题考研试题

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广东工业大学(841)半导体物理2012年考研真题考研试题


     广东工业大学
全日制研究生招生考试专业课考试大纲
招生类别:□博士生 □√学术型硕士生 □√专业学位硕士生
考试科目名称: 半导体物理
基本内容: (300 字以内)
1. 半导体的电子状态: 半导体的晶格结构和能带结构,导带,价带,禁带宽度,
有效质量、空穴。计算半导体的禁带宽度,电子和空穴的有效质量和准动量。
2.半导体中的杂质和缺陷能级:能用共价键模型和能带模型解释施主杂质和施主
杂质的电离过程,受主杂质和受主杂质的电离过程。杂质能级和电离能。
3.半导体中的载流子的统计分布 :状态密度,费米能级,费米分布函数,计算
不同温度和不同掺杂浓度下,半导体中的电子和空穴浓度及费米能级。
4.半导体的导电性:漂移运动和漂移电流,迁移率,散射,迁移率与杂质浓度
和温度的关系,电阻率与杂质浓度和温度关系
5.载流子的注入与复合:非平衡载流子的产生和复合过程及其复合规律,非平
衡少子的寿命,准费米能级、载流子的扩散运动和扩散电流,爱因斯坦关系,用连续
性方程求解少子的运动和分布规律。
6 半导体的霍耳效应。
题型要求及分数比例:(博士生满分 100 分,学术型、专业学位硕士生满分 150 分)
1.基本概念题(30 分)
2.填空和判断题(20 分)
3.计算题(60 分)
4.综合分析题(20 分)
5.画图题(20 分)(用图形形象表达半导体物理的基本概念和基本物理过程)
参考书目(包括作者、书目、出版社、出版时间):
刘恩科等,半导体物理学(第 7 版),电子工业出版社,2008。
注:考生携带特殊工具
简单计算器(不带记忆功能的),简单作图工具(三角尺、直尺、铅笔)
主管院长审核、签名:
  

       
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