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2012年武汉纺织大学816电子技术基础（B卷）考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题

武汉纺织大学
2012 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称电子技术基础
考试时间 2012 年 1 月 8 日下午报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
第一部分：模拟电子技术
一、填空题（20 分，每空 2 分）
1、在三极管三级放大电路中，已知 Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法
分别为：Au1 是放大器，Au2 是放大器，Au3 是放大器。
2、在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极 Re 公共电阻对信号的
放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 KCMR
＝。
3、如图 1 所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗
为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功
率的倍。
图 1
二、判断如图 2 所示电路中引入了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放大
倍数。（15 分）
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