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武汉纺织大学
2012 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2012 年 1 月 8 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
一、 单项选择题（每小题 2 分，共 40 分。每小题的备选答案中只有一个最符合
题意）。
1. 当晶体管的温度升高时, 晶体管的 ICEO 将（ ）。
a.、基本不变 b、减小 c、 增大 d、随机不定
2. 如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入 A、B 和输出 Y 的波形图,这个门电路是
（ ）。
a.、与门 b、或门 c、异或门 d、同或门
3. 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的三个电极的电位分别为：5.3V，2.2V，
和 6.0V；则该晶体管的类型为（ ）。
a、PNP 型硅管 b、PNP 型锗管 c、NPN 型锗管 d、NPN 型硅管
4. 场效应管是通过改变（ ）来控制漏极电流的。
a、栅极电流 b、栅源电压 c、漏源电压 d、栅漏电压
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