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武汉科技学院
2010 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2010 年 1 月 10 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
模拟部分（共 60 分）
一、选择填空（单选）（每空 1 分，共 10 分,只填字母,不写汉字）
1、当温度升高时,晶体管的输入特性曲线将_______。(A 不动 B.左移 C.右移 )
2、一个 PNP 型硅晶体管，测得发射结电压 UBE=－0. 7V,集电结电压 UCE=1V。则
该晶体管工作在_______区。(A. 截止 B. 放大 C. 饱和)
3、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。（A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽）
4、差分 放 大电 路 的共 模 信号 是 两个 输 入端 信 号 的 。
（ A.差 B.和 C.平 均 值）
5、电流串联负反馈的输出电阻比反馈前______。（A. 减小, B. 増大，C. 无改变 ）
6、将长尾式差分放大电路中的发射极电阻 Re 增大，将使差分放大电路的_______。
(A. 共模放大倍数减小 B. 共模放大倍数增大
C. 差模放大倍数减小 D. 差模大倍数增大 )
7、阻容耦合放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_________。
( A. 半导体管的非线性特性 B.放大电路的静态工作点不合适
C.半导体管极间电容和分布电容的存在 D. 耦合电容和旁路电容的存在)
8、电源整流电路的主要目的是 。
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