2009年武汉纺织大学816电子设计基础考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题

 您现在的位置: 考博信息网 >> 文章中心 >> 笔记讲义 >> 正文 

考研试卷库
新闻资讯
普通文章 中科院自然科学史研究所考博真题:考博
普通文章 中科院自动化研究所(沈阳)考博真题:
普通文章 中科院自动化研究所(北京)考博真题:
普通文章 中科院植物研究所考博真题:考博信息网
普通文章 中科院战略研究院考博真题:考博信息网
普通文章 中科院遗传与发育生物学研究所考博真题
普通文章 中科院遥感所考博真题:考博信息网助你
普通文章 中科院亚热带农业生态研究所考博真题:
普通文章 中科院信息工程研究所考博真题:考博信
普通文章 中科院心理研究所考博真题:考博信息网
调剂信息
普通文章 考研调剂:把握二次机遇,圆读研梦想&#
普通文章 辽宁石油化工大学04年硕士研究生调剂信
普通文章 云南民族大学04年硕士研究生调剂信息
普通文章 南昌航空工业学院04年调剂信息
普通文章 中国计量学院04年考研调剂信息
普通文章 成都理工大学04年硕士生调剂信息
普通文章 南昌大学04年硕士研究生调剂信息
普通文章 华东交通大学04年硕士研究生调剂需求信
普通文章 南华大学04年考研调剂信息
普通文章 上海大学04年工商管理硕士MBA调剂信息

2009年武汉纺织大学816电子设计基础考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题


     武汉科技学院
2009 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2009 年 1 月 11 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围,试题必须打印,图表清晰,标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上,在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分 10 24 12 14 18 18 12 12 12 18
本试卷总分 150 分,考试时间 3 小时。
模拟部分(共 60 分)
一、选择题(单选)(只填字母,不写汉字。每空 1 分,共 10 分)
1、 当 PN 结由.截止变为导通时,其空间电荷区__ _,(A.变宽, B.变窄, C.不变)。
2、 当温度降低时,晶体管的 ICBO 将_______(A 不变 B.增大 C.减小 )
3、 用晶体管放大电路构成的电压跟随器是______ 放大电路。
(A、 共射;B、共基;C、共集;)
4、 集成运放工作在线性区时,电路的外部结构特征为_ _ 。
(A 开环 B.正反馈 C.负反馈)
5、 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_ _ 。
(A.级间耦合电容和旁路电容的存在 B.放大电路的静态工作点不合适
C.半导体管极间结电容和分布电容的存在 D.晶体管的非线性特性)
6、 电压并联负反馈时的输出电阻比反馈前______。(A. 减小, B.不变, C.増大)
7、 欲从传感器获 得更 大 的电 流 ,使放大电路输出能获得稳定的输出电流。该
放大电路宜采用______负反馈放大电路。
(A.电压串联 B.电压并联 C. 电流 串 联 D. 电 流并 联 )
8、 分析功率放大电路的动态性能时,作功放的晶体管宜采用 来分析。
(A.晶体管的混合∏模型;B.晶体管的 h 参数模型 C.晶体管的图解 法 )
共 页 第 页
共 6 页 第 1 页
  

       
        ,更多更新年份持续更新,请在本站的考博信息网|www.kaoboinfo.com中的“考研试卷库”学校栏目中查询下载。

 

考博咨询QQ 135255883 点击这里给我发消息 考研咨询QQ 33455802 点击这里给我发消息 邮箱:customer_service@kaoboinfo.com
考博信息网 版权所有 © kaoboinfo.com All Rights Reserved
声明:本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载或引用的作品侵犯了您的权利,请通知我们,我们会及时删除!