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武汉科技学院
2008 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础 A 卷
考试时间 2008 年 1 月 20 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
共 6 页 第 1 页
模拟部分（共 60 分）
一、选择题（单选）（只填字母，不写汉字。每空 1 分，共 10 分）
1、当晶体管的温度升高时,晶体管的 uBE 将_______。(A 不变 B.增大 C.减小 )
2、当晶体管工作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为 。
(A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏)
3、实验中测试放大电路抑制温飘能力的方法是，将放大电路的输入端______，通
过测量电压放大倍数来衡量。
(A.接地并改变环境温度， B. 接差模信号并改变环境温度， C.接差模信号不
用改变环境温度， D.接入共模信号不用改变环境温度)
4、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_________。
( A. 半导体管的非线性特性 B.放大电路的静态工作点不合适
C.半导体管极间电容和分布电容的存在 D. 耦合电容和旁路电容在)
5、电流并联负反馈组态的输出电阻比反馈前______。
（A.无改变、 B. .増大、 C.减小.、D.不确 定 ）
6、在放大电路设计中，欲从 信 号源 获 得更 大 的 电流 ， 并稳 定 输出 电 压，
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