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发布时间:2018-9-1 9:23:48
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资源简介:2013年中国科学院半导体物理考研真题考研试题
科目名称:半导体物理 第 1 页 共 2 页 中国科学院 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题 科目名称:半导体物理 考生须知: 1.本试卷满分为 150 分,全部考试时间总计 180 分钟。 2.所有答案必须写在答题纸上,写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 3.可以使用无字典存储和编程功能的电子计算器。 一、(共 50 分,每题 5 分)解释下列名词或概念 1. 空穴; 2. 佛伦克尔缺陷; 3. 受主杂质; 4. 简并半导体; 5. 汤姆孙效应; 6. 单电子近似法; 7. pn 结势垒电容; 8. 欧姆接触; 9. MIS 平带状态; 10. 热载流子。 二、(共 20 分,每题 10 分)简答题 1. 用图示意地绘出一定掺杂浓度硅样品的电导率随温度的变化关系,并解释变 化趋势及原因。 2. 简述半导体的热平衡状态。 三、(20 分)对一种施主浓度为 ND 的非简并半导体,在 300K 下禁带宽度为 Eg, 导带和价带的有效态密度分别为 Nc 和 Nv,证明由掺杂状态到本征状态的转折温 度为 ⋅ ⋅ = 3 20 300 ln d D vc g d T N NN k E T (式中,k0 为玻耳兹曼常数)。 四、(20 分)试推导 pn 结的自建电势差 2 0 ln i DA D n NN q Tk V = (式中,k0 为玻尔兹 曼常数,T 为温度,q 为电子电量,NA 和 ND 分别为 p 型区和 n 型区掺杂浓度, ni 为本征载流子浓度)。
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