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《微电子学基础》考试大纲
一、总体要求
主要考察学生掌握“微电子器件及集成电路”的基本知识、基本理论的情况，
以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容
微电子学基础的考试内容由两部分构成,分别为《微电子器件》和《半导体
集成电路》的基础知识，所占比例基本相同。具体如下：
（一）《微电子器件》考试内容
1．半导体器件基本方程
1）一维形式的半导体器件基本方程
2）基本方程的主要简化形式
2．PN 结
1）突变结与线性缓变结的定义
2）PN 结空间电荷区的形成
3）耗尽近似与中性近似
4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算
5）正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况
6）PN 结的能带图
7）PN 结的少子分布图
8）PN 结的直流伏安特性
9）PN 结反向饱和电流的计算及影响因素
10）薄基区二极管的特点
11）大注入效应
12）PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的
机理及特点、热击穿的机理
13）PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点
14）PN 结的交流小信号参数与等效电路
15）PN 结的开关特性与少子存储效应
3．双极型晶体管
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