2010年浙江理工大学928半导体物理考研真题硕士研究生入学考试试题-考博信息网

2010年浙江理工大学928半导体物理考研真题硕士研究生入学考试试题

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浙江理工大学
二 O 一 O 年硕士学位研究生招生入学考试试题
考试科目：半导体物理 A 代码：928
（*请考生在答题纸上答题，在此试题纸上答题无效）
一、不定项选择题（30 分，3 分*10）
1. 具有闪锌矿结构的半导体材料为（）
A、Si B、Ge C、GaAs D、ZnO
2. 高纯度半导体就是（）
A、对光透明的宽禁带半导体 B、电阻率很高的补偿半导体
C、温度很低的半导体 D、杂质、缺陷浓度很低的半导体
3. 那些跃迁可能导致半导体发光（）
A、本征跃迁 B、带-杂质能级间辐射 C、施主-受主对 D、激
子复合
4. 利用吸收光谱可以获得半导体材料的那些信息（）
A、跃迁机制 B、禁带宽度 C、声子能量 D、杂质能级
5. PP+
和 NN+
结为浅结，它们常用于（）
A、小信号整流 B、欧姆接触 C、可变电容 D、稳压二极管
6. 测知某半导体的霍尔系数随温度升高由正值变为零然后变为负值，则
该半导体可能是（）
A、纯净半导体 B、p 型半导体 C、n 型半导体 D、以上三种
都可能
7. 光电导指（）
A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度
C、光照引起的电导率变化 D、光照产生激子引起的电导率增加
8. 非平衡载流子就是（）
A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对
C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子
9. pn 结击穿指（）
A、反向电压随电流增加迅速增加 B、正向电流随反向电压增加迅速
增加
C、正向电压随电流增加迅速增加 D、反向电流随反向电压增加迅速
增加

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