资源简介：2017年成都信息工程大学814光电子器件硕士研究生入学考试考研大纲    

        下载流程： 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载

 

2017 年硕士研究生入学考试自命题科目
考试大纲
考试科目：光电子器件 科目代码：814
一、考试的总体要求
掌握光电导探测器件的光电转换机理及光敏电阻的器件结构、工
作原理和特性。掌握结型光电探测器的光电转换机理，基本结构及工
作原理；掌握光电池、光电二极管与光电三极管的光谱响应、转换效
率、噪声、光生载流子产生及输运的物理过程与物理图像。掌握光电
发射器件的光电转换机理、基本结构、工作原理，光电倍增管的主要
特性和参数。掌握微光像增强器的基本结构与工作原理、主要特性与
各代像增强器的特点。掌握 CCD 电荷产生、注入、传输、读出及其
基本电路结构、CCD 主要电学特性；掌握电荷输运的物理过程、物
理图像、寄生效应与器件物理关系；掌握 CCD 和 CMOS 图像传感
器的基本结构和工作原理。
二、考试的内容及比例
（一）光电导探测器（10%）
1、光电子器件的基本特性
2、光电导探测器原理
3、光敏电阻的特点、结构与特性
（二）结型光电探测器（20%）
1、光生伏特效应
2、光电池的结构与特性
3、光电二极管的结构、原理与特性，包括 P 结型、PIN 型和 APD
型
4、光电三极管的结构与工作原理
（三）光电阴极与光电倍增管（20%）
1、光电发射过程与阴极材料（多碱阴极与负电子亲和势光电阴
极）
2、真空光电管的原理与特性
3、光电倍增管的结构、原理与主要特性
（四）微光像增强器（20%）
1、像管的基本原理与结构
2、像管的主要特性分析（包括光谱响应特性、增益特性、光传
递特性、背景特性、传像特性、空间分辨特性）
3、第 3 代微光像增强器
（五）CCD 和 CMOS 成像器件（30%）
1、电荷耦合器件的基本原理
2、电荷耦合器件基本结构
3、CCD 的主要特性
4、电荷耦合成像器件
5、CMOS 型成像器件的像素构造
三、考试题型及比例
考试满分 150 分，包含多种题型，其中名词解释约 30 分、简答

 

说明：本站提供的《2017年成都信息工程大学814光电子器件硕士研究生入学考试考研大纲 》源自权威渠道，为历年考过（被使用过）的真题试卷，除标注有“回忆版”字样的试题外，其余均为原版扫描，权威可靠；回忆版试题由当年参加全国硕士、博士研究生入学考试考生回忆，内容完整。