华南理工大学462电子技术基础2006年考研真题考研试题

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华南理工大学462电子技术基础2006年考研真题考研试题


     462
华南理工大学
2006 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
(试卷上做答无效,请在答题纸上做答,试后本卷必须与答题纸一同交回)
科目名称:电子技术基础(含数字与模拟电路)
适用专业:生物医学工程 声学 光学 微电子学与固体电子学
共 6 页
第 1 页
第一部分:模拟电路
一、 填空题 (共 10 分,每小题 2 分)
1、由二极管 D 和正偏直流电源 V,交流信号源υ s 及负载 RL 构成的串连电路,当 V
=3V 时,测得 RL 上的交流压降υ L=100mV。若调节 V=4V,其他参数不变,则
υ L 100mV。
2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生 失真,这种失真
属于 失真。
3、放大器中的噪声是 是放大器中 所造成的。放大器
的噪声系数 NF 的定义是: 。
4、某负反馈放大电路,其开环增益 Ag=100mS,反馈系数 Fr=10KΩ ,开环输入电
阻 Ri=3KΩ ,则其闭环输入电阻 Rif = 。(Ri 和 Rif 均为未考虑偏
置电阻的输入电阻)
5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由
和 电路两部分组成。
二、分析与计算题
1.(8 分)对于增强型 n 沟 MOSFET ,
1)写出其在线性区的伏安特性表达式;
2)在 VDS >>2(VGS-VTH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式;
3)已知 MOSFET 的 μ n·Cox=50μ A/V
2
,VTH=0.7V, 当 VGS=2.5V ,求此时
该 MOSFET 的等效导通电阻 RON=?
2.(10 分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题
1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍
数下降多少 dB?
2)为保证二级放大器的上限频率为 10
6
Hz,下限频率为 156Hz,计算每个单级放
大器的上限频率和下限频率分别应为多少?
  

       
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