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发布时间:2018-9-1 10:11:09
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资源简介:2014年成都电子科技大学832微电子器件考研真题硕士研究生入学考试试题
微电子器件 试题共 6 页,第 1 页 电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目:832 微电子器件 注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题(共 48 分,每空 1.5 分) 1、PN 结二极管用途广泛,在作为变容二极管使用时,主要利用其( )向偏置的 ( )电容;在作为温度传感器使用时,主要利用其正向导通压降会随温度的升 高而( )。 2、一个 P+N 型的二极管,电子和空穴的寿命分别为 τn 和 τp,在外加正向直流电压 V1 时电流 为 I1,当外加电压反向为-V2 时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通 时存储在( )型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为 ( )。 3、防止 PN 结发生热击穿,最有效的措施是降低器件的( )。同时,禁带宽带越 ( )的半导体材料,其热稳定性越好。(第二个空填“大”或“小”) 4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重,其厄尔利电压越( ),共发射极增量输 出电阻越( )。 (填“大”或“小”) 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB,则 1/τB 表示的物理 意义为( ),因此τb/τB 可以表示 ( )。 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中( )的控制能力。 栅氧化层越厚,则 S 越( ),该控制能力越( )。(第二个空填“大”或“小”, 第三个空填“强”或“弱”) 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时,如果金属的功函数大于半导体的功函数,半导体表 面将形成( ),该结构( )单向导电性。(从以下选项中选择) A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有
它是全国研究生入学考试考过的真题试卷,属已解密信息,对于报考相关专业考生来说,统考专业课(业务课)科目考研真题对于专业课的复习是非常重要的,因为通过研究真题除了能了解到什么知识点最重要,考哪些题型之外还能给我们反映出老师出题的难度如何,考试考点及重点范围有哪些,每个知识点的历年出题频率,每个章节的分值比重,各个章节的出题比重,每年都要反复考的知识点等等。考试真题的重要性是任何的习题资料都高,比起网上流行的所谓“复习题笔记讲义”(少数除外,大部分都是以同一资料冠以不同学校名称冒充的资料),真题真实性高、渠道权威、试题原版扫描保证清晰。在考博信息网的考试资料体系中,也是把专业课真题作为最为核心、最为重要的资料提供给大家的。
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