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2014年成都电子科技大学832微电子器件考研真题硕士研究生入学考试试题

微电子器件试题共 6 页，第 1 页
电子科技大学
2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分）
1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的
（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升
高而（）。
2、一个 P+N 型的二极管，电子和空穴的寿命分别为 τn 和 τp，在外加正向直流电压 V1 时电流
为 I1，当外加电压反向为－V2 时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通
时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（）。
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越
（）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输
出电阻越（）。（填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理
意义为（），因此τb/τB 可以表示
（）。
6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则 S 越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”，
第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择）
A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有 F 不具有

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