资源大小:0.1-10.0 MB
资源类型:rar
发布时间:2018-9-1 4:15:44
资源评分:★★★
资源简介:2013年桂林电子科技大学半导体物理试题B考研复试真题考研复试试题
桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试 复试试卷 B 考试科目代码:227 考试科目名称:半导体物理 请注意:答案必须写在答题纸上(写在试卷上无效)。 一、单项选择题(每题 2 分,共 20 分) 1、关于本征半导体,下列说法中错误的是( ) A、本征半导体的费米能级 EF=Ei,基本位于禁带中线处 B、本征半导体中电子和空穴浓度相同 C、本征半导体的费米能级和温度无关,只决定于材料本身 D、本正半导体的电中性条件是 qn0=qp0 2、关于空穴,下列说法不正确的是( ) A、空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 B、空穴具有正的有效质量 C、空穴带正电荷 D、半导体中电子空穴共同参与导电 3、对于一定的 n 型半导体,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致( )靠近 Ei。 A、Ec B、Ev C、Eg D、EF 4、对于只含有一种杂质的非简并 n 型半导体,费米能级随温度上升而( ) A、单调上升 B、单调下降 C、经过一个极小值趋近 Ei D、经过一个极大值趋近 Ei 5、光电导效应是指( ) A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度 C、光照引起半导体材料电导率的变化 D、光照产生光致发光 6、非平衡载流子就是( ) A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对 C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子 7、pn 结击穿是指( ) A、反向电流随反向电压增加迅速增加 B、正向电流随反向电压增加迅速增加 C、正向电压随电流增加迅速增加 D、反向电压随电流增加迅速增加 8、当金属与 n 型半导体接触形成阻挡层时,金属的功函数 W1 和半导体的功函数 W2 的关 系是( ) A、与两种材料的功函数无 B、W1<W2 C、W1=W2 D、W1>W2 9、下列哪个参数不能由霍尔效应确定( ) A、载流子浓度 B、迁移率 C、有效质量 m* 10、有效复合中心的能级接近( ) A、禁带中心能级 Ei B、施主或受主能级 C、费米能级 EF 共 2 页 第 1 页
它是全国研究生入学考试考过的真题试卷,属已解密信息,对于报考相关专业考生来说,统考专业课(业务课)科目考研真题对于专业课的复习是非常重要的,因为通过研究真题除了能了解到什么知识点最重要,考哪些题型之外还能给我们反映出老师出题的难度如何,考试考点及重点范围有哪些,每个知识点的历年出题频率,每个章节的分值比重,各个章节的出题比重,每年都要反复考的知识点等等。考试真题的重要性是任何的习题资料都高,比起网上流行的所谓“复习题笔记讲义”(少数除外,大部分都是以同一资料冠以不同学校名称冒充的资料),真题真实性高、渠道权威、试题原版扫描保证清晰。在考博信息网的考试资料体系中,也是把专业课真题作为最为核心、最为重要的资料提供给大家的。
|