2013年桂林电子科技大学半导体物理试题B考研复试真题考研复试试题-考博信息网

2013年桂林电子科技大学半导体物理试题B考研复试真题考研复试试题

桂林电子科技大学 2013 年硕士研究生入学考试
复试试卷 B
考试科目代码：227 考试科目名称：半导体物理
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、单项选择题（每题 2 分，共 20 分）
1、关于本征半导体，下列说法中错误的是（）
A、本征半导体的费米能级 EF=Ei，基本位于禁带中线处
B、本征半导体中电子和空穴浓度相同
C、本征半导体的费米能级和温度无关，只决定于材料本身
D、本正半导体的电中性条件是 qn0=qp0
2、关于空穴，下列说法不正确的是（）
A、空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 B、空穴具有正的有效质量
C、空穴带正电荷
D、半导体中电子空穴共同参与导电
3、对于一定的 n 型半导体，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近 Ei。
A、Ec B、Ev C、Eg D、EF
4、对于只含有一种杂质的非简并 n 型半导体，费米能级随温度上升而（）
A、单调上升 B、单调下降
C、经过一个极小值趋近 Ei D、经过一个极大值趋近 Ei
5、光电导效应是指（）
A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度
C、光照引起半导体材料电导率的变化 D、光照产生光致发光
6、非平衡载流子就是（）
A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对
C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子
7、pn 结击穿是指（）
A、反向电流随反向电压增加迅速增加 B、正向电流随反向电压增加迅速增加
C、正向电压随电流增加迅速增加 D、反向电压随电流增加迅速增加
8、当金属与 n 型半导体接触形成阻挡层时，金属的功函数 W1 和半导体的功函数 W2 的关
系是（）
A、与两种材料的功函数无
B、W1＜W2 C、W1=W2 D、W1＞W2
9、下列哪个参数不能由霍尔效应确定（）
A、载流子浓度 B、迁移率 C、有效质量 m*
10、有效复合中心的能级接近（）
A、禁带中心能级 Ei B、施主或受主能级 C、费米能级 EF
共 2 页第 1 页

，更多更新年份持续更新，请在本站的考博信息网|www.kaoboinfo.com中的“考研试卷库”学校栏目中查询下载。

上一篇文章： 2013年桂林电子科技大学材料成型工艺基础考研复试真题考研复试试题

下一篇文章： 2013年桂林电子科技大学半导体物理A考研复试真题考研复试试题

考博信息网提供全国高校历年考研真题，电子扫描版样张:

北京第二外国语学院821国际贸易与国际金融2010年考研真题

北京外国语大学翻译硕士专业学位（MTI）英汉互译（笔译）2010年考研真题