2026 年中国航天科技集团考研真题样题（电子技术基础）

一、填空题（每空 1 分，共 20 分）

1. 半导体二极管的最主要特性是（ ），其正向导通压降硅管约为（ ）V，锗管约为（ ）V。
2. 三极管放大电路有共射、（ ）和（ ）三种基本组态，其中（ ）组态既有电压放大作用，又有电流放大作用。
3. 集成运放理想化的条件是开环差模电压增益 Aod=（ ），差模输入电阻 rid=（ ），输出电阻 ro=（ ）。
4. 正弦波振荡电路产生振荡的两个必要条件是（ ）和（ ）。
5. 逻辑代数的三种基本运算为（ ）、（ ）和（ ）。
6. 触发器按逻辑功能可分为 RS 触发器、（ ）、（ ）和 T 触发器四种类型。
7. 若某数 / 模转换器（DAC）的输入为 8 位二进制数，满刻度输出电压为 5V，则其分辨率为（ ）mV（保留一位小数）。
8. 时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是（ ）。

答案解析

1. 单向导电性；0.7；0.2

   解析：半导体二极管具有正向导通、反向截止的单向导电特性，这是其核心物理属性。硅材料二极管因 PN 结势垒较高，正向导通压降约 0.7V；锗材料二极管势垒较低，导通压降约 0.2V，该参数是电路分析中判断二极管工作状态的关键依据。
2. 共集；共基；共射

   解析：三极管放大电路的三种基本组态基于输入与输出回路的公共端划分。共射组态的电流放大系数 β 和电压放大倍数 Au 均大于 1，兼具电压与电流放大能力，是低频放大电路的常用组态；共集组态无电压放大作用（Au≈1），但输入电阻高、输出电阻低，适合作为缓冲级；共基组态高频特性好，多用于高频放大场景。
3. ∞；∞；0

   解析：集成运放理想化是电路分析的简化模型，假设开环差模电压增益趋近于无穷大，意味着微小输入信号即可产生饱和输出；差模输入电阻无穷大表示运放输入端几乎不取用电流；输出电阻为零则说明运放带负载能力极强，输出电压不受负载变化影响。
4. 相位平衡条件；幅值平衡条件

   解析：正弦波振荡电路的振荡条件本质是满足正反馈闭环系统的自激条件。相位平衡条件要求反馈信号与输入信号相位相同（相位差为 2nπ，n 为整数）；幅值平衡条件要求反馈信号幅值等于输入信号幅值（AF=1，其中 A 为放大电路增益，F 为反馈系数）。
5. 与运算；或运算；非运算

   解析：逻辑代数是数字逻辑电路分析与设计的数学工具，与、或、非三种基本运算对应 “同时满足”“至少一个满足”“逻辑否定” 三种逻辑关系，所有复杂逻辑运算均可通过这三种基本运算组合实现。
6. JK 触发器；D 触发器

   解析：触发器是时序逻辑电路的基本单元，按逻辑功能分类时，RS 触发器存在不定态，JK 触发器通过引入时钟脉冲和反馈消除了不定态，D 触发器则实现了输入信号的直接寄存，T 触发器可实现计数功能，四种类型分别适用于不同时序控制场景。
7. 19.5

   解析：DAC 的分辨率定义为满刻度输出电压与 2ⁿ-1 的比值（n 为输入位数），8 位 DAC 的分辨率计算为 5V/(2⁸-1)=5000mV/255≈19.5mV。分辨率反映了 DAC 对输入数字量微小变化的敏感程度，位数越高分辨率越高。
8. 时序逻辑电路具有记忆功能

   解析：组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入信号，无记忆能力；时序逻辑电路的输出不仅与当前输入有关，还与电路原有状态（历史输入）相关，其记忆功能由触发器等存储元件实现，这是两者最本质的区别。

二、选择题（每题 2 分，共 30 分）

1. 下列哪种情况会使二极管处于反向击穿状态（ ）
   A. 正向电压小于导通压降 B. 正向电压大于导通压降
   C. 反向电压小于击穿电压 D. 反向电压大于击穿电压
2. 三极管工作在放大状态的条件是（ ）
   A. 发射结正向偏置，集电结正向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置
   C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置 D. 发射结反向偏置，集电结反向偏置
3. 共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系是（ ）
   A. 同相 B. 反相 C. 相差 90° D. 不确定
4. 为稳定放大电路的输出电压，应引入（ ）负反馈
   A. 电压 B. 电流 C. 串联 D. 并联
5. 理想集成运放构成的反相比例运算电路，其输入电阻为（ ）
   A. 无穷大 B. 等于反馈电阻 Rf C. 等于输入电阻 R1 D. 等于 R1 与 Rf 之和
6. 下列哪种振荡电路不属于正弦波振荡电路（ ）
   A. RC 桥式振荡电路 B. LC 振荡电路 C. 石英晶体振荡电路 D. 单稳态触发器
7. 逻辑函数 F=A+BC 的最小项表达式为（ ）
   A. F=ABC+AB̅C+A̅BC B. F=ABC+AB̅C+A̅BC+AB̅C̅+ABC̅
   C. F=ABC+A̅BC+A̅B̅C D. F=ABC+AB̅C̅+A̅BC̅
8. 对于 JK 触发器，当 J=1、K=1 时，在时钟脉冲作用下，其输出状态将（ ）
   A. 保持不变 B. 置 1 C. 置 0 D. 翻转
9. 若要将模拟信号转换为数字信号，需经过（ ）四个步骤
   A. 采样、量化、编码、滤波 B. 采样、保持、量化、编码
   C. 采样、滤波、量化、编码 D. 保持、量化、编码、滤波
10. 下列哪种存储器属于非易失性存储器（ ）
    A. RAM B. SRAM C. DRAM D. ROM
11. 单管交流放大电路中，若静态工作点设置过高，易产生（ ）失真
    A. 截止 B. 饱和 C. 频率 D. 相位
12. 差动放大电路的主要作用是（ ）
    A. 放大差模信号，抑制共模信号 B. 放大共模信号，抑制差模信号
    C. 同时放大差模和共模信号 D. 既不放大差模信号也不放大共模信号
13. 稳压管稳压电路中，稳压管应工作在（ ）状态
    A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 D. 正向击穿
14. 由与非门构成的基本 RS 触发器，当 RD=0、SD=1 时，输出 Q 的状态为（ ）
    A. 0 B. 1 C. 不定 D. 保持
15. 若某 8 位二进制数表示无符号整数，其最大值为（ ）
    A. 127 B. 128 C. 255 D. 256

答案解析

1. D

   解析：二极管反向击穿是指反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大的现象，分为齐纳击穿和雪崩击穿，稳压管正是利用反向击穿状态实现稳压功能。选项 A、B 对应正向偏置状态，选项 C 为反向截止状态。
2. B

   解析：三极管放大的核心是通过发射结正向偏置注入载流子，集电结反向偏置收集载流子，形成电流放大。若集电结正向偏置（选项 A、C），三极管工作在饱和状态；发射结反向偏置（选项 D）则工作在截止状态，均无放大能力。
3. A

   解析：共集电极放大电路中，输出电压取自发射极，与基极输入电压同相位（即 “射随” 特性），电压放大倍数约为 1，无电压反相作用，这一特性使其在阻抗匹配电路中广泛应用。
4. A

   解析：负反馈按取样方式分为电压反馈和电流反馈。电压反馈的取样信号与输出电压成正比，能稳定输出电压；电流反馈则稳定输出电流。串联与并联反馈针对输入回路，影响输入电阻，与输出电压稳定无关。
5. C

   解析：理想运放反相比例运算电路中，反相输入端为 “虚地”，输入信号经电阻 R1 接入反相端，输入电阻等于 R1 的阻值。该电路的电压放大倍数为 - Rf/R1，负号表示反相特性。
6. D

   解析：正弦波振荡电路需满足自激振荡条件，RC 桥式、LC、石英晶体振荡电路均属于此类，可产生频率稳定的正弦信号。单稳态触发器是脉冲整形电路，输出非正弦的单脉冲信号，不属于振荡电路。
7. B

   解析：最小项表达式是将逻辑函数展开为所有含变量的最小项之和。F=A+BC 可展开为 A (B+B̅)(C+C̅)+(A+A̅) BC，化简后得 ABC+AB̅C+ABC̅+AB̅C̅+A̅BC，对应选项 B。
8. D

   解析：JK 触发器的逻辑功能为：J=0、K=0 时保持；J=1、K=0 时置 1；J=0、K=1 时置 0；J=1、K=1 时翻转（Qⁿ⁺¹=Q̅ⁿ），此时触发器可作为计数器使用，每输入一个时钟脉冲输出状态改变一次。
9. B

   解析：模数转换（ADC）的标准流程为：①采样：按一定频率抽取模拟信号瞬时值；②保持：维持采样值至量化结束；③量化：将模拟量转换为离散的数字量等级；④编码：将量化结果转换为二进制代码。滤波通常在采样前进行，不属于 ADC 核心步骤。
10. D

    解析：ROM（只读存储器）断电后存储数据不丢失，属于非易失性存储器，适用于存放固定程序和数据。RAM（随机存取存储器）包括 SRAM 和 DRAM，断电后数据丢失，为易失性存储器，多用于临时数据存储。
11. B

    解析：静态工作点过高意味着集电极电流过大，三极管进入饱和区，输出电压波形底部被削平，产生饱和失真；工作点过低则导致截止失真（顶部削平），两者均属于非线性失真。
12. A

    解析：差动放大电路通过对称结构抑制温度漂移等共模干扰信号，共模抑制比（CMRR）是衡量其性能的核心指标。差模信号（两输入端差值）被有效放大，共模信号（两输入端共模成分）被大幅衰减，这一特性使其成为集成运放输入级的核心电路。
13. C

    解析：稳压管的稳压特性基于反向击穿状态，在击穿电压范围内，即使反向电流变化较大，两端电压仍基本保持稳定。正向导通状态下稳压管与普通二极管无异，无稳压功能。
14. A

    解析：与非门构成的基本 RS 触发器中，RD 为置 0 端，SD 为置 1 端，低电平有效。当 RD=0、SD=1 时，无论原状态如何，输出 Q 均置 0；当 RD=1、SD=0 时，Q 置 1；RD=SD=0 时为不定态。
15. C

    解析：8 位无符号整数的取值范围为 0~2⁸-1，即 0~255，最大值为 255（二进制 11111111）。若为带符号整数，最高位为符号位，最大值为 127（01111111）。

三、判断题（每题 1 分，共 10 分，对的打 “√”，错的打 “×”）

1. 二极管只要加正向电压就会导通。（ ）
2. 三极管的电流放大系数 β 值越大，放大能力越强，但温度稳定性越差。（ ）
3. 集成运放工作在非线性区时，输出电压只有正饱和和负饱和两种状态。（ ）
4. 电压比较器的输入信号是模拟量，输出信号是数字量。（ ）
5. 组合逻辑电路中存在反馈回路。（ ）
6. 同步时序逻辑电路中，所有触发器的时钟脉冲相同。（ ）
7. DAC 的位数越多，分辨率越高，转换精度也越高。（ ）
8. 移位寄存器只能实现数据的移位操作，不能实现数据的存储。（ ）
9. 单端输入的差动放大电路，无法抑制共模信号。（ ）
10. 逻辑变量的取值只有 0 和 1 两种，代表事物的两种对立状态。（ ）

答案解析

1. ×

   解析：二极管正向导通需满足正向电压大于导通压降（硅管 0.7V，锗管 0.2V），若正向电压低于导通压降，二极管仍处于截止状态，并非加正向电压就导通。
2. √

   解析：β 值反映三极管的电流放大能力，β 越大放大能力越强，但 β 值受温度影响显著，温度升高时 β 会增大，导致电路静态工作点漂移，因此高 β 管的温度稳定性较差。
3. √

   解析：集成运放工作在非线性区时，开环状态下增益极大，输入信号只要超过阈值电压，输出就会饱和，仅存在 + Uom 和 - Uom 两种稳定状态，电压比较器即利用这一特性工作。
4. √

   解析：电压比较器将输入模拟信号与参考电压比较，输出高电平或低电平，实现模拟量到数字量的转换，是模数转换系统的前置电路。
5. ×

   解析：组合逻辑电路的输出仅取决于当前输入，无记忆功能，电路结构中不存在反馈回路；时序逻辑电路因包含触发器等存储元件，存在反馈回路，输出与历史状态相关。
6. √

   解析：同步时序逻辑电路的所有触发器由同一时钟脉冲控制，状态转换在同一时刻发生；异步时序电路中触发器时钟脉冲不同，状态转换有先后顺序。
7. √

   解析：DAC 的分辨率由位数决定，位数越多，输出电压的阶梯数越多，能区分的输入数字量越小，分辨率越高；转换精度受分辨率和非线性误差影响，分辨率是转换精度的重要组成部分。
8. ×

   解析：移位寄存器兼具数据移位和存储功能，在时钟脉冲作用下，数据可逐位移动，同时每个触发器能存储 1 位二进制数据，可实现串行 - 并行转换、数据延迟等功能。
9. ×

   解析：单端输入时，差动放大电路可通过电路对称结构将输入信号分解为差模信号和共模信号，共模信号被抑制，差模信号被放大，仍具有共模抑制能力，只是共模抑制比略低于双端输入。
10. √

    解析：逻辑变量是数字逻辑中的基本概念，取值 0 和 1 不代表数值大小，而是表示事物的两种对立状态（如 “真” 与 “假”“通” 与 “断”）。

四、简答题（每题 5 分，共 20 分）

1. 简述射极输出器的特点及主要应用场合。
2. 什么是零点漂移？差动放大电路如何抑制零点漂移？
3. 简述 TTL 与非门和 CMOS 与非门的主要区别（至少从三个方面比较）。
4. 时序逻辑电路的分析步骤是什么？

答案解析

1. 射极输出器的特点及应用

   特点：①电压放大倍数约为 1，无电压放大作用；②输入电阻高（通常为几十 kΩ 至几百 kΩ）；③输出电阻低（通常为几十 Ω 至几百 Ω）；④输出电压与输入电压同相位。

   应用场合：①作为输入级，利用高输入电阻减小对信号源的负载影响；②作为输出级，利用低输出电阻增强带负载能力；③作为中间缓冲级，隔离前后级电路，避免相互干扰。
2. 零点漂移及差动放大电路的抑制原理

   零点漂移是指放大电路输入端短路时，输出端电压随温度、电源电压等因素变化而缓慢波动的现象，其中温度漂移是主要来源。

   差动放大电路通过对称的双管结构抑制零点漂移：两管特性相同，受温度等干扰因素影响时，两管集电极电压变化量相同（共模信号），输出端取两集电极电压之差，共模信号被抵消；而有用的差模信号则被正常放大，从而实现零点漂移的抑制。
3. TTL 与非门和 CMOS 与非门的区别

   ① 器件基础不同：TTL 与非门以双极型三极管为核心器件，依靠载流子的注入与复合工作；CMOS 与非门以 MOS 管为核心，基于场效应管的导通与截止工作。

   ② 功耗特性不同：TTL 门静态功耗较大（约 10mW / 门）；CMOS 门静态功耗极低（约 0.1μW / 门），动态功耗随频率升高而增大。

   ③ 电平范围不同：TTL 门高电平典型值为 3.6V，低电平典型值为 0.3V；CMOS 门高电平接近电源电压 VDD，低电平接近 0V，电平兼容性更灵活。

   ④ 抗干扰能力不同：CMOS 门的噪声容限更大（约为电源电压的 40%），抗干扰能力强于 TTL 门。
4. 时序逻辑电路的分析步骤

   ① 确定电路类型：区分同步时序电路（所有触发器时钟相同）和异步时序电路（触发器时钟不同）。

   ② 写出逻辑方程式：包括触发器的时钟方程、驱动方程（各触发器输入信号表达式）和输出方程（电路输出信号表达式）。

   ③ 确定触发器状态方程：将驱动方程代入触发器的特性方程（如 JK 触发器特性方程 Qⁿ⁺¹=JQ̅ⁿ+K̅Qⁿ），得到状态方程。

   ④ 列出状态表：根据状态方程和输出方程，列举所有现态对应的次态和输出，异步电路需结合时钟方程判断触发器是否翻转。

   ⑤ 画出状态图或时序图：直观表示电路状态转换规律。

   ⑥ 分析逻辑功能：根据状态表或状态图，总结电路实现的逻辑功能（如计数器、寄存器等）。

五、计算题（每题 10 分，共 20 分）

1. 如图所示三极管放大电路中，已知 VCC=12V，Rb1=30kΩ，Rb2=10kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，RL=3kΩ，三极管的 β=50，rbe=1kΩ，忽略 UBE。求：

   （1）静态工作点 IBQ、ICQ、UCEQ；

   （2）电压放大倍数 Au、输入电阻 ri、输出电阻 ro。
2. 已知逻辑函数 F (A,B,C)=AB̅C+A̅BC+ABC̅+ABC，试用卡诺图化简该函数，并画出用最少与非门实现的逻辑电路图。

答案解析

1. 三极管放大电路静态与动态参数计算

   （1）静态工作点计算

   该电路为分压偏置式共射放大电路，静态工作点计算步骤如下：

   ① 计算基极静态电压 UBQ：

   分压偏置电路中，UBQ≈VCC×Rb2/(Rb1+Rb2)=12×10/(30+10)=3V

   ② 计算发射极电流 IEQ：

   忽略 UBE，UEQ=UBQ=3V，IEQ=UEQ/Re=3/1=3mA

   因 ICQ≈IEQ，故 ICQ=3mA

   ③ 计算基极电流 IBQ：

   IBQ=ICQ/β=3/50=0.06mA=60μA

   ④ 计算集电极 - 发射极电压 UCEQ：

   UCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)=12-3×(3+1)=0V

   （注：此处 UCEQ=0V，说明三极管接近饱和状态，实际电路中需调整参数使工作点处于放大区。）
   （2）动态参数计算

   ① 电压放大倍数 Au：

   集电极负载电阻 RL'=Rc//RL=3//3=1.5kΩ

   Au=-βRL'/rbe=-50×1.5/1=-75（负号表示反相放大）

   ② 输入电阻 ri：

   输入电阻 ri=Rb1//Rb2//rbe=30//10//1≈0.88kΩ

   ③ 输出电阻 ro：

   共射放大电路输出电阻 ro≈Rc=3kΩ
2. 逻辑函数化简与电路实现

   （1）卡诺图化简

   ① 列出逻辑函数的最小项：F (A,B,C)=m5+m3+m6+m7（对应 ABC 取值分别为 101、011、110、111）。

   ② 绘制 3 变量卡诺图，在 m3、m5、m6、m7 位置填 1，其余位置填 0。

   ③ 合并相邻最小项：m5+m7=AC，m6+m7=AB，化简后得 F=AB+AC。
   （2）与非门实现电路

   根据摩根定律，F=AB+AC=((AB)̅・(AC)̅)̅，因此需使用 3 个与非门：

   ① 两个与非门分别实现 AB 和 AC 的与非运算（即 (AB)̅和 (AC)̅）；

   ② 第三个与非门对前两个输出进行与非运算，得到最终输出 F。

   电路连接：A、B 接入第一个与非门输入端，A、C 接入第二个与非门输入端，两个与非门输出端接入第三个与非门输入端，第三个与非门输出即为 F。

六、分析设计题（10 分）

答案解析

1. 明确设计要求

   同步 3 进制加法计数器需 3 个有效状态（设为 00、01、10），计数脉冲输入时状态依次转换：00→01→10→00，且所有触发器由同一时钟脉冲控制。
2. 状态赋值与状态表

   设计数器输出状态为 Q1Q0（Q1 为高位，Q0 为低位），状态表如下：

   现态 Q1ⁿQ0ⁿ	次态 Q1ⁿ⁺¹Q0ⁿ⁺¹	输出（进位）C
   00	01	0
   01	10	0
   10	00	1
   11	00（无效态）	1

3. 求驱动方程

   选用 JK 触发器，特性方程为 Qⁿ⁺¹=JQ̅ⁿ+K̅Qⁿ。

   ① 对 Q1 的次态卡诺图化简，得驱动方程：J1=Q0ⁿ，K1=1

   ② 对 Q0 的次态卡诺图化简，得驱动方程：J0=Q̅1ⁿ，K0=1

   ③ 输出方程：C=Q1ⁿ
4. 逻辑电路图

   两个 JK 触发器的时钟端接同一计数脉冲 CP；触发器 1 的 J1 接 Q0，K1 接高电平 1；触发器 0 的 J0 接 Q1 的非（Q̅1），K0 接高电平 1；输出 C 取自 Q1。
5. 状态图

   状态转换关系：00→01→10→00（循环），无效态 11 在 CP 作用下转换为 00，电路具有自启动能力。

   状态图表示为：00 (0)→01 (0)→10 (1)→00 (0)，11 (1)→00 (0)。

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